當前位置：【碳化硅換熱器】生產工藝無壓燒結和反應燒結對比
無壓燒結碳化硅會取代反應燒結碳化硅嗎？
成本決定了，無壓燒結很難取代反應燒結，不過無壓燒結出的產品，表面更光滑、密度更高、強度也要比反應燒結的高，根據無壓的特性，像密封件類，對表面要求嚴格的，無壓燒結的產品已經取代了反應燒結產品。
化學成分一樣，都是碳元素與硅元素一比一的物質的量組成，化學式都是SiC，無壓燒結碳化硅是碳化硅的一種類型。之所以物理性質不同是因為晶體結構不同。
無壓燒結設備簡單、易于工業化生產，是Z基本的燒結方法。這種方法也被廣泛地應用于納米陶瓷的燒結，主要通過燒結制度的選擇來達到在晶粒生長Z少的前提下使坯體實現致密化。因為在燒結過程中，顆粒粗化（Coarsening）、素坯致密化（Densification）、晶粒生長（Grain Growth）三者的活化能不相同的依賴關系，即顆粒粗化、素坯致密化、晶粒生長三者主要在不同的溫度區間進行、利用這種關系，就可通過燒結溫度的控制，獲得致密化速率大、晶粒生長較慢的燒結條件。燒結制度的控制，主要是控制升（降）溫速度、保溫時間及Z高溫度等。Z常用的無壓燒結為等速燒結。
碳化硅換熱器生產工藝無壓燒結和反應燒結腐蝕性能表：
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碳化硅腐蝕性能表 |
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測試環境 Test Environment |
腐蝕量 |
（mg/cm2yr） |
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（Wt%） |
溫度 Temp |
無壓燒結碳化硅** |
反應燒結碳化硅 |
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98% H2SO4 |
100 |
1.8 |
55 |
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50% NaOH |
100 |
2.6 |
>1000 |
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53% HF |
25 |
<0.2 |
7.9 |
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85% H3PO4 |
100 |
<0.2 |
8.8 |
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70% HNO3 |
100 |
<0.2 |
0.5 |
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45% KOH |
100 |
<0.2 |
>1000 |
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25% HCI |
70 |
<0.2 |
0.9 |
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10% HF plus 57% HNO3 |
25 |
<0.2 |
>1000 |
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無錫市錢橋化工機械有限公司所生產設備均使用無壓燒結碳化硅** |
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